专利详情

专利名称	一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法
申请号	CN201410147878.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103903964A	公开（授权）日	2014.07.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵威;刘洪刚;孙兵;常虎东
主分类号	H01L21/027(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/027(2006.01)I;G03F1/80(2012.01)I
专利有效期	一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法至一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物。本发明利用常温刻蚀各向异性好且刻蚀参数便于控制，以及高温刻蚀能方便去除聚合物等残余物质的优点，得到无聚合物残留的垂直侧壁，且不增加额外的工艺过程并与传统的硅基半导体工艺兼容。