专利详情

专利名称	基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路
申请号	CN201410132968.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103888128A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张旭;胡晓晖;刘鸣;陈弘达
主分类号	H03K19/0185(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/0185(2006.01)I
专利有效期	基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路至基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路，包括开关网络、待测电容阵列、运算放大器和电容反馈网络。其中，开关网络包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3和第四开关S4。待测电容阵列包括待测电容Cx和寄生旁路电容Cp1、Cp2。电容反馈网络包括反馈电容Cf和第五开关S5。本发明通过交错的开关时序，将待测电容Cx充放电步骤调节至相反，寄生旁路电容Cp1、Cp2的充放电步骤保持一致，通过后端处理，将寄生旁路电容的电荷转移量消除，从而在较大寄生旁路电容的影响下，依旧可以准确的检测出微小的待测电容，特别适用于阵列式电容传感器的读出应用。