离子注入系统
- 申请号：CN201210566738.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103887135A
- 公开(公开)日：2014.06.25
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 离子注入系统 | ||
| 申请号 | CN201210566738.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103887135A | 公开（授权）日 | 2014.06.25 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李超波;窦伟;邹志超 |
| 主分类号 | H01J37/317(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/317(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
| 专利有效期 | 离子注入系统 至离子注入系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种离子注入系统，包括隔板，所述隔板设置在所述基片台外围，且通过所述基片台与注入电极连接；所述隔板用于将所述离子注入腔室分隔为上离子注入腔室及下离子注入腔室，且在对样片进行离子注入时，所述隔板随注入电极的升降而上下移动。本发明提供的离子注入系统，增加可以随注入电极上下移动的隔板，有效控制腔室中气体进行起辉时所占腔室的比例，从而解决低密度气体在腔室中起辉的问题。 | ||
交易流程
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