专利详情

专利名称	异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法
申请号	CN201410125843.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103885121A	公开（授权）日	2014.06.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘瑞丹;王玥;吴远大;安俊明
主分类号	G02B6/132(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/132(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/34(2006.01)I;H04J14/02(2006.01)I
专利有效期	异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法至异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种异质集成光波导可调波分复用/解复用器的制作方法，包括：去掉S0I基片上的部分顶层硅；在暴露的二氧化硅层上淀积二氧化硅波导芯层；在二氧化硅波导芯层材料上制作二氧化硅阵列波导光栅；在制作有二氧化硅阵列波导光栅上淀积二氧化硅波导上包层；去掉可调光衰减器阵列区域部分顶层硅上的材料，暴露出顶层硅；在可调光衰减器阵列区域部分的顶层硅上制作脊型波导，该脊型波导的一侧为第一平板波导区，另一侧为第二平板波导区；掺杂，形成P型掺杂区和N型掺杂区；在可调光衰减器阵列区域上的脊型波导上淀积绝缘材料层；淀积金属电极，完成制备。本发明可以实现基于同一S0I基平台的低损耗、低功耗、高响应速度的二氧化硅阵列波导光栅和S0I可调光衰减器阵列的异质集成芯片的制作。