一种导电互联的方法
- 申请号:CN201210546509.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN103871957A
- 公开(公开)日:2014.06.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种导电互联的方法 | ||
| 申请号 | CN201210546509.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103871957A | 公开(授权)日 | 2014.06.18 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 陈征;林剑;崔铮 |
| 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种导电互联的方法 至一种导电互联的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种导电互联的方法包括:S1、在基底上布置透明氧化物导电层,获得互不连通的两导电块;S2、在两导电块及基底上覆盖绝缘层;S3、在对应两导电块上方的绝缘层区域制作穿通剂图案;S4、加热处理穿通剂图案,实现两导电块的导电互联。本发明提供的导电互联的方法,避免了图案化绝缘层且能实现绝缘层上下的导电连接;绝缘层采用整个基底淀积,容易获得均匀的绝缘层;采用透明氧化物导电层使得可以采用光波加热来实现穿通,从而降低衬底温度和非穿通区域的温度;透明氧化物导电层可以方便的形成透明电子电路,工艺温度较低,也易于采用印刷方法制作。 | ||
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