专利详情

专利名称	基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法
申请号	CN201210530522.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103866265A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢维尔;夏洋;李超波;解婧
主分类号	C23C16/40(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/40(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法至基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源沉积之前引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N-As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N-As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。