专利详情

专利名称	原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法
申请号	CN201210532025.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103866276A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢维尔;夏洋;李超波;解婧;李楠
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I
专利有效期	原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法至原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种原子层沉积制备共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次包含III主族元素X的施主掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、至少两次氮掺杂源沉积及至少两次氧源沉积，形成N-X-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述包含III主族元素施主掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积，后包含III主族元素施主掺杂源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。