专利详情

专利名称	用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法
申请号	CN201210531988.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103866270A	公开（授权）日	2014.06.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳
主分类号	C23C16/40(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/40(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I
专利有效期	用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法至用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括将衬底进行清洗和表面前处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；对衬底、管道及腔室进行加热；然后依次分别进行锌源、掺杂源Te、掺杂N源和氧源的沉积。本发明提供的用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法，通过ALD逐层循环的生长方式生长Te-N共掺的氧化锌薄膜，而且方法简单，利用原子层沉积单层循环生长的特点，在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中进行掺杂，共掺后的氧化锌薄膜，有利于促进p型电导的形成。