一种氮化锌薄膜的制备方法
- 申请号:CN201210545142.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN103866263A
- 公开(公开)日:2014.06.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种氮化锌薄膜的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210545142.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103866263A | 公开(授权)日 | 2014.06.18 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 解婧;李超波;夏洋 |
| 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种氮化锌薄膜的制备方法 至一种氮化锌薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种氮化锌薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;(2)向原子层沉积设备反应腔中通入含锌前驱体源,含锌前驱体源中的锌原子吸附于衬底表面;(3)向原子层沉积设备反应腔中通入含氮前驱体源,然后通过等离子体将含氮前驱体源电离,或将经过等离子体电离的含氮前驱体源通入原子层沉积设备反应腔中,电离后含氮前驱体源中的氮原子部分沉积,与衬底表面的锌原子形成氮锌共价键;(4)重复所述步骤(2)和步骤(3)即可逐层生长氮化锌薄膜。本发明通过等离子体将氮源引入原子层沉积系统,再通过调控腔室温度、真空度、循环周期、等离子体条件等条件,获得带隙可调控的各种优质氮化锌薄膜。 | ||
交易流程
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