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透明导电薄膜室温沉积装置及方法

  • 申请号:CN201210536792.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103862860A
  • 公开(公开)日:2014.06.18
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 透明导电薄膜室温沉积装置及方法
申请号 CN201210536792.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103862860A 公开(授权)日 2014.06.18
申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 张琴;刘静
主分类号 B41J2/00(2006.01)I IPC主分类号 B41J2/00(2006.01)I;B41J3/00(2006.01)I
专利有效期 透明导电薄膜室温沉积装置及方法 至透明导电薄膜室温沉积装置及方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明涉及导电薄膜技术领域,具体涉及一种可在常温下将导电油墨直接溅射到基底表面的透明导电薄膜制造装置及方法。该装置包括驱控机构以及与其连接的溅射机构,所述溅射机构与导电油墨连通;所述驱控机构驱动控制溅射机构将导电油墨溅射在覆有掩膜的基底表面;所述导电油墨为液态金属油墨。本发明的装置在常规条件下即可完成透明导电薄膜的制备过程,不但降低了对制备环境的要求,而且显著简化了透明导电薄膜制备工艺,提高了透明导电薄膜的生产效率,为柔性电子器件的发展提供了有力的技术支持。

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