一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法
- 申请号：CN201410051094.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号：CN103855252A
- 公开(公开)日：2014.06.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410051094.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103855252A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 李涛;王文静 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法 至一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种重掺杂发射区和栅线电极的制备方法，采用激光局域热处理预置浆料的电池表面，一步完成掺杂和烧结两个技术环节，同时获得选择性发射区和栅线电极种子层。后续采用电镀和热退火技术完成制备流程。本发明的制备方法具有无铅环保、技术流程简单、无需特种设备、产品性能优异等优点。 | ||
交易流程
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专利 -
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