专利详情

专利名称	多级电阻转换存储单元及存储器
申请号	CN201210517155.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855301A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	顾怡峰;宋志棠;席韡;宋三年;刘波;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	多级电阻转换存储单元及存储器至多级电阻转换存储单元及存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。