半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210505754.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103855093A
- 公开(公开)日：2014.06.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210505754.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103855093A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 |
| 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体鳍片；在半导体鳍片的顶部表面和侧壁上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以使掺杂剂扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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