专利详情

专利名称	一种半导体器件及其制作方法
申请号	CN201210506054.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855200A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;吴振兴;田晓丽
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其制作方法至一种半导体器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。本发明提供的半导体器件的靠近过渡区主结的基区处存在一个电流通路，为半导体器件在开启过程和关断过程中出现的动态雪崩电流提供了电流泄放通路，从而避免动态雪崩电流使半导体器件失效，改善了半导体器件的性能。而且，第一场板覆盖主结的同时与基区电连接，第一场板电位恒为零，增强了第一场板的电场屏蔽作用，从而提高半导体器件的反向耐压能力。