专利详情

专利名称	等平面场氧化隔离结构及其形成方法
申请号	CN201210521736.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855072A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	许高博;徐秋霞
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	等平面场氧化隔离结构及其形成方法至等平面场氧化隔离结构及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种等平面场氧化隔离结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成第一氮化硅层；进行图案化，在预定区域形成开口，露出所述衬底；在所述开口中去除所述衬底的部分，以形成凹槽；在所述凹槽的内壁形成氮化硅侧墙；在所述凹槽内生长场氧化层；使所述场氧化层的表面与所述凹槽外所述衬底的表面平齐；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化硅层和所述氧化硅层。根据本发明的方法可获得等平面场氧化隔离结构；同时，在凹槽的内壁形成有氮化硅侧壁，可以防止横向的过氧化，保持有源区域面积不变。