FinFET及其制造方法
- 申请号：CN201210520949.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103855027A
- 公开(公开)日：2014.06.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210520949.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103855027A | 公开（授权）日 | 2014.06.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种FinFET及其制造方法，其中该制造FinFET的方法，包括：形成半导体鳍片；形成源区和漏区中的一个；形成牺牲侧墙；以牺牲侧墙作为掩模，形成源区和漏区中的另一个；去除牺牲侧墙；以及采用栅堆叠替代牺牲侧墙，该栅堆叠包括栅极导体和栅极电介质，栅极电介质将栅极导体与半导体鳍片隔开。 | ||
交易流程
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专利 -
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