专利详情

专利名称	一种逆导型IGBT器件
申请号	CN201210501722.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855199A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司	发明（设计）人	张文亮;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	一种逆导型IGBT器件至一种逆导型IGBT器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的缓冲层；形成于所述缓冲层内的绝缘结构；形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧，从而使得所述绝缘结构将所述集电区与所述短路区的电势在一定程度上进行隔离，进而使得所述逆导型RC-IGBT器件以更小的电流进入传统IGBT模式，解决了现有技术中RC-IGBT器件工作时的电流回跳现象。