专利详情

专利名称	一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法
申请号	CN201410103363.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855305A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	北京科技大学;中国科学院化学研究所	发明（设计）人	王丽萍;谢晓冬;于贵;张卫锋;朱明山;郭云龙;陈鹏磊;刘鸣华
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法至一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种含氟石墨烯修饰层有机场效应晶体管的制备方法，属于半导体材料器件领域。其特征是利用含氟石墨烯作为修饰层，采用有机半导体材料作为半导体层，制备底栅底电极结构（BGTC）的有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法中含氟石墨烯可以提高器件的性能。所制备的含氟石墨烯修饰层的三异丙基硅乙炔取代的并四苯并噻吩（TIPSEthiotet）和并五苯器件具有高的光响应性和光敏感性。