专利详情

专利名称	一种IGBT器件及其形成方法
申请号	CN201210499322.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855197A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心	发明（设计）人	褚为利;朱阳军;张文亮;王波;谈景飞
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	一种IGBT器件及其形成方法至一种IGBT器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。