专利详情

专利名称	双应力异质SOI半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210501985.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103855005A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	骆志炯;尹海洲;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	双应力异质SOI半导体结构及其制造方法至双应力异质SOI半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种双应力异质SOI半导体结构，包括第一半导体层，第一隔离区，第二半导体层，第一应力材料区和第二应力材料区，其中：所述第一隔离区将所述第二半导体层隔离成不同的区块，并且延伸到第一半导体层，第二半导体层由第一隔离区分开的不同的区块与第一半导体层之间填充了第一应力材料和第二应力材料两者之一。相应地，本发明还提供双应力异质SOI半导体结构的制造方法。依照本发明的方法制作的双应力异质SOI半导体结构，可以减少外延生长过程中导致的缺陷，并且可以通过改变沟道应力，提高载流子的迁移率。