专利详情

专利名称	一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
申请号	CN201210509428.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103854984A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李春龙;李俊峰;闫江;赵超
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅至一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能改善栅极线条粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。