专利详情

专利名称	半导体器件的制造方法
申请号	CN201210505744.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103854982A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	徐秋霞;朱慧珑;许高博;周华杰;陈大鹏
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	半导体器件的制造方法至半导体器件的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上限定有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层上形成假栅层；将假栅层、第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；形成源/漏区，去除假栅层以形成栅极开口；在第一金属栅层中注入掺杂离子；在第一金属栅层上形成第二金属栅层以填充栅极开口；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。