专利详情

专利名称	一种功率半导体芯片测试工装
申请号	CN201410076873.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103852707A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	张瑾;仇志杰;温旭辉
主分类号	G01R31/26(2014.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	一种功率半导体芯片测试工装至一种功率半导体芯片测试工装	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种功率半导体芯片测试工装，其上盖板（04）顶部的中间位置安装有三组大电流探针（06）和六组测量探针（07）；负电极片（12）和第一垫块（08）分别穿过一组大电流探针和两组大电流探针与上盖板（04）的顶部接触。第一垫块（08）位于负电极片（12）的右侧，负电极片（12）的上方依次叠放有公共点电极片（13）和正电极片（11）；第二垫块（09）放置在公共点电极片（13）的上方，第二垫块（09）左侧的第三垫块（10）放置在负电极片（12）的上方；正电极片、公共点电极片和负电极片固定在上盖板（04）上；负电极插头（16）、公共点电极插头（15）和正电极插头（14）分别与负电极片（12）、公共点电极片（13）以及正电极片（11）相连。