专利详情

专利名称	缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
申请号	CN201410058985.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103849853A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冯玉霞;杨少延;魏鸿源;焦春美;孔苏苏
主分类号	C23C16/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I
专利有效期	缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法至缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。