专利详情

专利名称	具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路
申请号	CN201410020965.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103852174A	公开（授权）日	2014.06.11
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	郝立超;丁瑞军;黄爱波;陈洪雷;张君玲
主分类号	G01J5/24(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/24(2006.01)I
专利有效期	具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路至具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有记忆功能背景抑制结构的读出集成电路，该电路通过采用具有记忆功能的背景抑制电路模块，首先将2×2排列的四个像元背景电流的平均电流进行复制记忆，然后将这个电流作为四个像元的背景电流从光电流中减去，最后通过使用高增益共享式负反馈运放的SBDI前置输入级电路模块积分得到一个电压信号，并通过采样保持电路模块将该信号采样到采样电容上，最后通过单位增益输出级模块将模拟信号输出。该电路实现了对不同像元背景电流的记忆，并在信号处理之前减去了背景电流，有效延长了积分时间，增加了对比度，提高了输出信号的信噪比。