专利详情

专利名称	μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉
申请号	CN201320733349.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203629298U	公开（授权）日	2014.06.04
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花
主分类号	F27B17/02(2006.01)I	IPC主分类号	F27B17/02(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I
专利有效期	μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉至μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了?-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射?-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。