专利详情

专利名称	降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件
申请号	CN201410106302.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103840035A	公开（授权）日	2014.06.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	尤立星;李浩;杨晓燕;张伟君;王镇
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件至降低纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括：衬底，其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层；光学腔体结构；超导纳米线；以及反射镜。本发明操作简单，仅需在超导纳米线单光子探测器件（SNSPD）的衬底上集成多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。