专利详情

专利名称	基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法
申请号	CN201410085838.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103839946A	公开（授权）日	2014.06.04
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	付振;尹志岗;张兴旺;赵亚娟;陈诺夫;吴金良
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法至基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化学反应，有效降低MFIS结构的电荷注入效应并防止击穿现象发生；一T-BiFeO₃铁电功能层，其制作在绝缘介质层上，该T-BiFeO₃铁电功能层是基于四方相铁酸铋MFIS结构的信息存储载体，它具有较大的铁电矫顽场和较高的铁电极化，能有效增大MFIS结构的存储窗口；一金属栅顶电极，其制作在T-BiFeO₃铁电功能层上；一背电极，其制作在单晶Si衬底的背面。