专利详情

专利名称	相变存储器系统
申请号	CN201410108203.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103824591A	公开（授权）日	2014.05.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	范茜;陈后鹏;王倩;金荣;李喜;宋志棠
主分类号	G11C13/00(2006.01)I	IPC主分类号	G11C13/00(2006.01)I
专利有效期	相变存储器系统至相变存储器系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储器系统，至少包括：I²C接口电路模块、交互电路模块和相变存储器模块；所述相变存储器模块包括存储阵列；I²C接口电路模块分别与交互电路模块和相变存储器模块相连，其中，所述交互电路模块适于在接收所述前字节数据读取信号或者所述字节数据发送信号时，一一选通被所述字节地址信号选中的字节存储阵列中的存储位，并一一提供所对应的读/写触发信号，以使得所述I²C接口电路模块从所述字节地址信号对应的字节存储阵列中读出相应的串行读出数据或者使得所述I²C接口电路模块向所述字节地址信号对应的字节存储阵列中写入相应的串行写入数据。所述相变存储器系统无论从功耗还是速率方面，相变存储器都优于传统的EEPROM。