专利详情

专利名称	一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺
申请号	CN201310736927.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103820767A	公开（授权）日	2014.05.28
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	端伟元;邱羽;俞健;卞剑涛;刘正新
主分类号	C23C14/58(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/58(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I
专利有效期	一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺至一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。