专利详情

专利名称	一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器
申请号	CN201410060091.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103811568A	公开（授权）日	2014.05.21
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	黄北举;程传同;张赞;张赞允;陈弘达
主分类号	H01L31/0232(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0232(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器至一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。