一种同轴纳米电缆的制备方法
- 申请号：CN201210455309.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN103811131A
- 公开(公开)日：2014.05.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种同轴纳米电缆的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210455309.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103811131A | 公开（授权）日 | 2014.05.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 师大伟;韩秀峰 |
| 主分类号 | H01B13/016(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/016(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种同轴纳米电缆的制备方法 至一种同轴纳米电缆的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种同轴纳米电缆的制备方法，包括：1）提供具有多个孔道的模板，在所述模板的一面沉积电极层覆盖所述多个孔道，用于电化学沉积；2）配制电解液，该电解液中含有能够电化学沉积出至少两种金属的成分；3）将所述模板放置在电化学沉积装置中的电解液中进行电化学沉积，并在沉积过程中对电解液进行处理，使模板的孔道中产生传质速度不同的电解液环境。 | ||
交易流程
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