专利详情

专利名称	绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
申请号	CN201410017166.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103788736A	公开（授权）日	2014.05.14
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	孙蓉;张国平;姜坤;赵松方
主分类号	C09D4/02(2006.01)I	IPC主分类号	C09D4/02(2006.01)I;C09D4/06(2006.01)I;C09D161/06(2006.01)I;C09D5/25(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法至绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法。该绝缘层用组合物按质量份计，包括稀释剂00份、酚醛树脂2份～10份、增粘剂0.3份～1.0份、交联剂5份～15份及白碳黑1份～5份。稀释剂、酚醛树脂、增粘剂、交联剂和白炭黑按合适的配比得到的上述绝缘层用组合物具有合适的黏度，因而具有较好的成膜性，有利于绝缘层用组合物的立体成型，在硅通孔中制备保形性好的绝缘层。并且，经实验证明，采用上述绝缘层用组合物在硅通孔中制备的绝缘层的介电常数较低，且吸湿率较低。