专利详情

专利名称	一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法
申请号	CN201410031166.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103792438A	公开（授权）日	2014.05.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李书振;卜建辉;毕津顺;曾传滨;罗家俊;韩郑生
主分类号	G01R29/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R29/26(2006.01)I
专利有效期	一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法至一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种闪烁噪声的测试方法，包括以下步骤：测试待测器件的输出特性；将器件的漏极连接到低噪声电流放大器的输入端；将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为直流模式；打开低噪声电流放大器的电压源，为漏端提供偏置；时域采样；然后将低噪声电压放大器和信号分析仪的采样模式设置为交流模式；调节低噪声电压放大器的放大倍率使低噪声电压放大器的输出达到最大值；频域采样，读取数据；改变漏端电压，重复上述步骤。根据本发明的另一个方面，还提供了一种闪烁噪声的测试设备。