专利详情

专利名称	一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
申请号	CN201310724004.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103646853A	公开（授权）日	2014.03.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;陈达;狄增峰;叶林;王刚;郭庆磊;母志强
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法至一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所述单晶SiGe薄膜表面形成一Si帽层；S3：将步骤S2获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、含锗薄膜及SiO2层的叠层结构；S4：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到绝缘体上含锗薄膜结构。本发明通过选择合适张应变顶层硅及相应含锗组分的单晶SiGe薄膜，使得张应变顶层硅与其上的单晶SiGe薄膜的晶格匹配，从而降低缺陷来源，能够获得高质量的SGOI或GOI材料。