专利详情

专利名称	一种改善热分布集中的超大功率光电器件
申请号	CN201320343583.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203481249U	公开（授权）日	2014.03.12
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	王玮;蔡勇;张宝顺
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I
专利有效期	一种改善热分布集中的超大功率光电器件至一种改善热分布集中的超大功率光电器件	法律状态
说明书摘要	一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，且每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，该区域相对较短边与相对较长边的比值＞0.5，但≤1。本实用新型通过采用多胞设计，并将其中若干单胞并联形成单胞组，且使各单胞组内的单胞排布在长宽比约为1的矩形内，进而使节温较高的单胞可向周围单胞传导热，使相邻单胞节温保持一致，避免节温较高的单胞成为热斑和热崩，从而有效提升大功率光电器件的工作性能，并延长其使用寿命。