专利详情

专利名称	一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法
申请号	CN201310571760.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103605844A	公开（授权）日	2014.02.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	方晶晶;陈岚;曹鹤
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法至一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法，该CMP压力分布计算方法，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式；根据所述当前窗格的接触模式和弹性力学模型计算所述当前窗格的压力；其中，所述弹性力学模型由研磨垫的弹性模量、面积、整体位移以及当前窗格的接触模式、高度、和面积共同确定。该CMP压力分布计算方法把研磨垫简化成弹性体，提出了计算CMP压力分布的弹性力学模型，该模型相较于现有技术的CMP压力计算模型降低了压力计算的复杂度，能够较为快速地获取到实时的CMP过程中的压力分布，提高了效率，进而提高了其实用性。