专利详情

专利名称	一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构
申请号	CN201320567736.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203434149U	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	刘志权;郭敬东;祝清省;曹丽华
主分类号	H01L23/488(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/488(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I
专利有效期	一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构至一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构，属于半导体器件封装领域。该封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点；所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层，焊盘开口上方设有导电金属柱，其材质为铜或铜合金；所述导电金属柱的侧面裹有氧化层，导电金属柱的上方设有反应界面层，反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金；所述反应界面层上方设有焊料凸点，所述焊料凸点的材料为锡或锡合金。本实用新型利用FeNi合金或FeNiP合金具有优良可焊性、界面层生长速度慢及其热膨胀系数可通过调整合金成分变化的特性，提高了互连体的力学、电学、热学性能及服役可靠性。