专利详情

专利名称	芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
申请号	CN201310585931.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103579423A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	谢海忠;张连;宋昌斌;姚然;薛斌;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法至芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。