专利详情

专利名称	一种硅基微腔激光器的制作方法
申请号	CN201310510520.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103579902A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
主分类号	H01S5/323(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/323(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I
专利有效期	一种硅基微腔激光器的制作方法至一种硅基微腔激光器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构；在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导；在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口；在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离；在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。本发明提出的上述方法利用超高真空化学气相外延与MOCVD结合实现高质量的III-V族层，抛光和清洗实现清洁平整表面；干法刻蚀与湿法腐蚀实现光滑的微腔侧壁，减少激光器损耗。