具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
- 申请号：CN201210284760.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103579499A
- 公开(公开)日：2014.02.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 | ||
| 申请号 | CN201210284760.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103579499A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;杨晓一;孙鹏霄 |
| 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 至具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括：下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工艺简单、制造成本低，并且在低阻态时具有整流特性，能够有效抑制读串扰问题。 | ||
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