半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210250438.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103578987A
- 公开(公开)日：2014.02.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210250438.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103578987A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;蒋葳;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法包括：在衬底上生长第一外延层；在第一外延层上形成牺牲栅堆叠；选择性刻蚀第一外延层；在衬底上生长并原位掺杂第二外延层；在牺牲栅堆叠两侧形成侧墙；以及以侧墙为掩模，形成源/漏区。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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