专利详情

专利名称	一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法
申请号	CN201310510519.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103576221A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川
主分类号	G02B5/18(2006.01)I	IPC主分类号	G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法至一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。