专利详情

专利名称	制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法
申请号	CN201310553600.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103579478A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李璟;王国宏;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/62(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I
专利有效期	制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法至制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，形成GaN外延结构；步骤B，对GaN外延结构进行深刻蚀工艺，形成多个独立的小LED材料结构；步骤C，对多个独立的小LED材料结构进行倒装LED芯片制备工艺，制备多个LED芯片的，与衬底接触的P电极和N电极；步骤D，对多个倒装LED芯片的P电极和N电极进行串并连工艺，形成倒装LED集成芯片；以及步骤E：对衬底抛光，喷涂荧光粉，切割成一颗颗倒装集成芯片，即倒装集成LED芯片级光源模组。采用本发明方法制备的倒装集成LED芯片级光源具有散热好、可大电流驱动、光效高等优点。