电容拓扑结构及集成电路
- 申请号：CN201310034149.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院高能物理研究所
- 公开(公开)号：CN103579222A
- 公开(公开)日：2014.02.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 电容拓扑结构及集成电路 | ||
| 申请号 | CN201310034149.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103579222A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆波 |
| 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
| 专利有效期 | 电容拓扑结构及集成电路 至电容拓扑结构及集成电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种电容拓扑结构及集成电路，其中电容拓扑结构包括多个电容单元，电容单元包括位于中央的正N边形MIM电容以及围绕在正N边形MIM电容周围的侧壁电容，侧壁电容包括中央镂空的多层第一金属层，镂空部分的形状与正N边形MIM电容的形状相适配，多层第一金属层之间通过第一过孔相连，采用正N边形MIM电容，周围围绕侧壁电容，使正N边形MIM电容每条边的环境一致，在集成电路版图面积相同的情况下，可提高多个MIM电容之间的匹配度，节约版图面积，提高紧凑度。 | ||
交易流程
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