专利详情

专利名称	一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法
申请号	CN201210258454.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103578934A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威;薛百清
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法至一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述锗衬底结构包括硅衬底、结晶氧化铍层和结晶锗层。所述方法通过在单晶硅衬底表面上沉积结晶金属铍层，通过氧化的方法，形成适于锗层外延的结晶氧化铍层,进而在该结晶氧化铍层表面外延形成单晶锗层。本发明提供的硅基绝缘体上锗衬底结构及其制备方法，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低等优点。