半导体器件制造方法
- 申请号：CN201210283261.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103578952A
- 公开(公开)日：2014.02.12
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210283261.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103578952A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 唐兆云;闫江;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 半导体器件制造方法。本发明提供了一种利用间隙壁技术形成栅极的晶体管的制造方法。在本发明的方法中，在虚设栅极堆栈的侧面，依次形成第一间隙壁、第二间隙壁和第三间隙壁，通过去除第二间隙壁形成了宽度由第二间隙壁控制的栅极凹槽，继而在栅极凹槽中形成所需要的栅极和栅极绝缘层。本发明中，利用回刻蚀形成间隙壁，不需要采用额外的掩模版，并且，通过控制第二间隙壁的宽度来限定栅极宽度，可以实现亚22nm的栅极线条的形成，并且使工艺具有良好的可控性。 | ||
交易流程
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专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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