专利详情

专利名称	一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法
申请号	CN201310511425.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103576242A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	毛旭;魏伟伟;吕兴东;杨晋玲;杨富华
主分类号	G02B6/26(2006.01)I	IPC主分类号	G02B6/26(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I
专利有效期	一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法至一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法。该方法在微纳加工工艺的基础上，采用体硅加工技术制作可变光衰减器的固定挡光板和活动挡光板，通过在固定挡光板、活动挡光板上淀积挡光材料，起到对光束的遮挡限制作用；固定挡光板上制作通光孔，用于约束光斑大小，限制光的衍射作用；通过光刻、刻蚀等工艺制作可变光衰减器的活动挡光板，使活动挡光板能够在外加驱动力的作用下线性运动，通过控制活动挡光板位置，实现对传输光能量的精确调节；最后通过圆片级键合，集成可变光衰减器固定挡光板和活动挡光板，实现对传输光能量的可控调节。上述方法采用常规的微纳加工方法，工艺成熟可靠，制作精度高，可大大降低成本，适用于规模化生产。