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一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法

  • 申请号:CN201310151062.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
  • 公开(公开)号:CN103563984A
  • 公开(公开)日:2014.02.12
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法
申请号 CN201310151062.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103563984A 公开(授权)日 2014.02.12
申请(专利权)人 中国科学院等离子体物理研究所 发明(设计)人 方世东;孟月东;沈洁;程诚;魏钰;李绪奇;左潇;陈龙威
主分类号 A01N59/16(2006.01)I IPC主分类号 A01N59/16(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I
专利有效期 一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法 至一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种用中气压射流等离子体制备氧化石墨烯/银抑菌复合材料的方法,首先通过浸渍银前驱体,在氧化石墨烯表面负载银离子;再在室温下用中气压氢气冷等离子体射流处理,将银离子还原成银纳米粒子,得到氧化石墨烯/银复合材料。本发明利用等离子体还原前驱物的方法,避免使用对环境有污染的化学试剂,由于在干态下还原,大大减少了贵金属的流失,可以高效制备氧化石墨烯/银复合材料。样品透射电镜图片也证实了银纳米离子均匀分布在氧化石墨烯表面。

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