专利详情

专利名称	带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法
申请号	CN201210258806.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103569945A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	董立军;赵超
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I
专利有效期	带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法至带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种带有防阻塞功能的分子检测纳米孔器件及其制作方法，首先在硅衬底上形成测序用纳米孔阵，再在测序用纳米孔阵的上方形成氮化硅防阻塞孔阵。形成氮化硅防阻塞孔阵的方法包括以下步骤：在形成有测序用纳米孔阵的器件上方双面沉积牺牲层；刻蚀牺牲层形成下一步低应力氮化硅的附着区；在低应力氮化硅附着区上双面沉积LPCVD氮化硅层；刻蚀氮化硅层形成防阻塞孔；最后通过KOH或其他碱腐蚀去除体硅和牺牲层硅。本发明在测序用纳米孔阵的上方制作了防阻塞孔阵，因此在用于分子检测、基因测序时，可防止大于DNA直径的外来颗粒堵塞纳米孔阵，保证分子检测、基因测序的正常进行。由于本发明通过半导体集成方法制作，所以成本低、效果好。